集積Green-niX研究・人材育成拠点、集積システム材料産学連携コンソーシアム、EISESiVコンソーシアムという3つのコンソーシアムを、お互いの連携と協調が最大限引き出せるKeep-neutralスキームで運営しています。
当ユニットでは半導体集積回路はデバイスのスケーリングを基盤に高速化、低消費電力化を進めています。 さらなる微細化、高性能化を目指して2次元物質を用いたFET、熱電素子、デバイスの3次元的な高集積化の研究を行っています。特に原子層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイドを用いたFETは世代が2nm以細でも高性能を維持できる材料として学会等でも注目を集めています。

東京工業大学 科学技術創成研究院
集積Green-niX⁺研究ユニット 教授
若林 整

東京工業大学 大学院 修士課程修了、NEC(株) (MIT (2000-2021))とソニー(株)を経て、東京工業大学 工学院 電気電子系 教授 (地球インクルーシブセンシング研究機構 機構長(2018年4月-2022年3月), 評議員 (2022年4月-2023年6月)), 2023年7月より東京工業大学 科学技術創成研究院 集積Green-niX+研究ユニット 教授。JST/さきがけ「情報担体」研究総括、技術研究組合 最先端半導体技術開発センター デバイス技術部門 副部門長、日本学術会議 連携会員、日本MOT学会 理事、IEEE/EDS/VLSI Technology & Circuits Committee Chair, 応用物理学会・電子情報通信学会・エレクトロニクス実装学会各会員、博士(工学)