概　要

ニューロモーフィックコンピューティングは膨大な量のビッグデータを処理するための驚くほどエネルギー効率の高いソリューションを提供します。プレゼンテーションでは、本研究の取り組みについて詳しく説明します。
最初のセグメントでは、ニューロモーフィック コンピューティング デバイスとして強誘電体ショットキー バリア MOSFET (Fe-SBFET) の応用について説明します。 これはより多くのアナログ状態が可能となり、学習プロセスの精度が向上し、生物学的シナプスをエミュレートするためにデバイスの革新的な設計をすることで、学習および処理機能に優れた機能を有します。
プレゼンテーション後半では、極低温キャパシタレス ランダム アクセス メモリ (C²RAM) について紹介します。この革新的なメモリ ソリューションは、優れたエネルギー効率、高い記憶密度、拡張性を備えた不揮発性メモリを提供します。
これらニューロモーフィック コンピューティングの進化させることで、より効率的で強力なデータ処理パラダイムへの道を切り開くことを目指しています。

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講演会場

東京工業大学 すずかけ台キャンパス S2棟第１-２会議室
※　Zoomとのハイブリッド開催

お問合せ

knc.info@knc.titech.ac.jp
科学技術創成研究院　集積Green-niX⁺研究ユニット
東京工業大学